NETSOL führend im Bereich MRAM-Technologie
In unserer heutigen News werfen wir einen Blick auf die bahnbrechende Technologie des nichtflüchtigen RAMs (MRAM) und warum Netsol zu den Technologieführern gehört.
Die Funktionsweise von STT-MRAM und Toggle-MRAM
MRAM, eine Form von nichtflüchtigem Speicher, ermöglicht es, Daten auch bei Stromausfall zu speichern. Es gibt zwei Hauptvarianten: STT-MRAM (Spin-Transfer-Torque MRAM) und Toggle-MRAM.
Bei STT-MRAM wird die Richtung des Elektronenspins durch einen Stromimpuls umgekehrt, was zur Speicherung von Daten führt. Im Gegensatz dazu verwendet Toggle-MRAM eine magnetische Domänenwand, die zwischen zwei stabilen Zuständen hin und her schaltet, um Daten zu speichern.
Vergleich der Technologien und ihre Vor- und Nachteile
STT-MRAM:
- Vorteile:
- Geringerer Stromverbrauch
- Schnelleres Schreib- und Lesezugriffszeit
- Nachteile:
- Potenzielle Störanfälligkeit bei hohen Temperaturen
Toggle-MRAM:
- Vorteile:
- Robuster bei hohen Temperaturen
- Nachteile:
- Langsamerer Schreib- und Lesezugriff im Vergleich zu STT-MRAM
- Höherer Stromverbrauch
Strukturbreiten bei MRAM
MRAM kann in verschiedenen Strukturbreiten hergestellt werden, wobei die gängigsten 28nm und 22nm sind. Je kleiner die Strukturbreite, desto dichter können die Speicherzellen angeordnet werden, was zu einer höheren Speicherkapazität führt.
Die Vorteile des 16Mb MRAM von Netsol und Samsung
Ein kürzlich veröffentlichtes Paper von Netsol und Samsung präsentiert einen 16Mb MRAM, der bei einer beeindruckenden Strukturbreite von 28nm gefertigt wurde. Dieser MRAM bietet eine einzigartige Kombination aus hoher Speicherdichte und Effizienz. Die Vorteile umfassen:
- Niedrigerer Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichen RAM-Typen
- Schnellere Zugriffszeiten für verbesserte Leistung
- Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit auch unter extremen Bedingungen
In der Tabelle unten sind die wichtigsten Spezifikationen des 16Mb MRAM aufgeführt:
Spezifikation | Wert |
---|---|
Speicherkapazität | 16 Megabit |
Strukturbreite | 28nm |
Stromverbrauch Schreibzyklus | 27mW |
Stromverbrauch Lesezyklus | 14mW |
Dieser innovative MRAM ermöglicht es Herstellern von elektronischen Produkten, von den Vorteilen der nichtflüchtigen Speichertechnologie zu profitieren und gleichzeitig die Anforderungen an Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit zu erfüllen.
Für weitere Informationen zu diesem aufregenden Fortschritt in der MRAM-Technologie laden wir Sie ein, das Paper von Netsol und Samsung zu lesen: Link zum Paper.
NETSOL und SAMSUNG ?
Doch wie kann Netsol ein solches MRAM Know-How ansammeln …. ganz einfach. Sie sind eine Ausgründung von Samsung und können somit sowohl auf die Samsung IP als auch auf ehemalige Samsung Mitarbeiter zurückgreifen. Allein die Exekutives kommen zusammen auf >90 Jahre Erfahrung in der Entwicklung von Speicher.
Über Blume Elektronik: Blume Elektronik ist ein etablierter Distributor für elektronische Komponenten im deutschsprachigen Raum. Wir bieten unseren Kunden einen erstklassigen Service und unterstützen sie bei der Beschaffung von hochwertigen Komponenten für ihre elektronischen Produkte. Besuchen Sie unsere Website, um mehr zu erfahren: blume-elektronik.de .