Neue SiC MOSFET Half-Bridge Module von Global Power Technologies
Blume Elektronik, Ihr kompetenter Distributor für elektronische Komponenten, erweitert sein Portfolio um die neuesten SiC MOSFET Half-Bridge Module von Global Power Technologies (GPT). Diese innovativen Module bieten herausragende Leistung und Energieeffizienz, ideal für die Anforderungen in der modernen Leistungselektronik. Dank der Kombination von Siliziumkarbid (SiC) Technologie, die für ihre hohe Schaltgeschwindigkeit und thermische Beständigkeit bekannt ist, sind diese Module perfekt für anspruchsvolle Anwendungen wie Elektromobilität und erneuerbare Energien geeignet.
Global Power Technologies – Ein Vorreiter in der Leistungselektronik
Global Power Technologies (GPT) ist ein global agierender Hersteller, der sich auf die Entwicklung und Produktion von Halbleiterlösungen spezialisiert hat. Die innovativen SiC-basierenden Komponenten des Unternehmens zeichnen sich durch eine besonders hohe Energieeffizienz und Zuverlässigkeit aus. GPT bietet zukunftsweisende Technologien, die sich ideal für industrielle und automotive Anwendungen eignen.
Wichtige Fakten über GPT:
- Weltweite Präsenz mit Schwerpunkt auf SiC-Technologie
- Nachhaltige Lösungen mit hoher Effizienz
- Innovatives Produktportfolio für die Leistungselektronik
Funktionsweise eines SiC MOSFET Half-Bridge Moduls
Ein SiC MOSFET Half-Bridge Modul besteht aus zwei in Serie geschalteten MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistoren) sowie einem integrierten NTC (Negative Temperature Coefficient Thermistor), der die Temperaturüberwachung übernimmt. Diese Kombination ermöglicht eine effiziente Steuerung von elektrischen Signalen und bietet gleichzeitig einen thermischen Schutz.
Hauptvorteile der SiC MOSFET Technologie:
- Hohe Schaltfrequenzen für bessere Leistung
- Geringere Schaltverluste im Vergleich zu Silizium-MOSFETs
- Hohe Betriebstemperaturen, was eine bessere Wärmeabfuhr ermöglicht
- Eingebauter NTC sorgt für eine kontinuierliche Überwachung der Temperatur, was die Zuverlässigkeit der Schaltung verbessert
Durch die Integration von SiC MOSFETs und dem NTC können Entwickler sicherstellen, dass das Modul auch bei hohen Temperaturen und unter anspruchsvollen Bedingungen eine stabile und zuverlässige Leistung liefert. Dies macht die Module ideal für Anwendungen, bei denen Effizienz und thermische Stabilität von großer Bedeutung sind.
Die neuen GPT SiC MOSFET Half-Bridge Module
Global Power Technologies hat zwei neue SiC MOSFET Half-Bridge Module auf den Markt gebracht, die speziell für hohe Spannungen und Ströme ausgelegt sind:
- GPT040M0120HBMX1
- VDS: 1200 V
- ID (TC = 25°C): 73 A
- RDS(on): 40 mΩ
- Gehäuse: TO-247-9L
- GPT080M0120HBMXT1
- VDS: 1200 V
- ID (TC = 25°C): 44,9 A
- RDS(on): 80 mΩ
- Gehäuse: TO-247-9L
Beide Module bieten eine herausragende Leistung für Hochspannungsanwendungen und zeichnen sich durch niedrige Durchlassverluste aus, was zu einer verbesserten Energieeffizienz und geringeren Wärmeverlusten führt.
Anwendungen für SiC MOSFET Half-Bridge Module
Die SiC MOSFET Half-Bridge Module von GPT sind in einer Vielzahl von Anwendungen einsetzbar, bei denen hohe Effizienz und thermische Beständigkeit im Vordergrund stehen. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören:
- Elektromobilität: In elektrischen Antrieben sorgen die Module für eine höhere Effizienz und ermöglichen kompaktere Designs in Inverter-Systemen.
- Erneuerbare Energien: In Photovoltaikanlagen und Windkraftwerken verbessern SiC MOSFETs die Effizienz der Umwandlung von Gleichstrom in Wechselstrom.
- Industrielle Motorsteuerung: SiC Module sind ideal für präzise und effiziente Steuerung in Hochleistungsanwendungen.
- Leistungswandler: In DC-DC und AC-DC Wandlern ermöglichen sie eine höhere Schaltfrequenz und geringere Verlustleistungen.
- Telekommunikationsausrüstung: Für hocheffiziente Netzteile und Server mit geringerem Kühlbedarf sind die Module von großer Bedeutung.
Vorteile der GPT SiC MOSFET Half-Bridge Module
- Hohe Schaltfrequenz: Ermöglicht kompaktere Designs und höhere Effizienz
- Integrierter NTC: Für kontinuierliche Temperaturüberwachung und verbesserten Schutz
- Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit: Perfekt für Hochleistungsanwendungen
- Niedrigere Schaltverluste: Spart Energie und reduziert den Kühlbedarf
Technische Spezifikationen der GPT SiC MOSFET Half-Bridge Module
| Modul | VDS (max) | ID (TC = 25°C) | RDS(on) | Gehäuse |
|---|---|---|---|---|
| GPT040M0120HBMX1 | 1200 V | 73 A | 40 mΩ | TO-247-9L |
| GPT080M0120HBMXT1 | 1200 V | 44,9 A | 80 mΩ | TO-247-9L |