Potens Semiconductor präsentiert SiC Produkt-Roadmap: Zukunftspläne für SiC MOSFETs und SiC Schottky Dioden enthüllt

Strategische Ausrichtung legt den Fokus auf fortschrittliche SiC-Technologien

Wir freuen uns, die Veröffentlichung der Produkt-Roadmap von Potens Semiconductor für Siliziumkarbid (SiC) Bauelemente bekannt zu geben. Diese Roadmap gibt einen aufschlussreichen Überblick über die geplanten Entwicklungen und Produkte, insbesondere im Bereich der SiC MOSFETs und SiC Schottky Dioden.

SiC MOSFET – Die Zukunft ist leistungsfähig und effizient

Laut der neu veröffentlichten Roadmap wird Potens Semiconductor sein Portfolio an SiC MOSFETs in den kommenden Monaten und Jahren erheblich erweitern. Geplant sind Bauelemente, die sich durch noch höhere Effizienz und verbesserte thermische Eigenschaften auszeichnen. Diese Entwicklungen sind besonders spannend für Branchen, in denen die Nachfrage nach energieeffizienten Lösungen wächst, wie etwa im Bereich der Elektromobilität oder erneuerbaren Energien.

SiC Schottky Diode – Weiterentwicklungen für höchste Ansprüche

Die Roadmap zeigt auch die Entwicklungspläne für SiC Schottky Dioden auf, die in der kommenden Zeit hinsichtlich Zuverlässigkeit und Leistungsverlust weiter optimiert werden sollen. Die geplanten Innovationen zielen darauf ab, den Einsatz der Dioden in Hochfrequenz- und Leistungselektronikanwendungen noch attraktiver zu machen.

Blume Elektronik – Ihr Partner für SiC-Technologien

Blume Elektronik arbeitet eng mit Herstellern wie Potens Semiconductor zusammen und bietet seinen Kunden optimalen Support in der Produktentwicklung. “Unsere Kunden schätzen unsere Fachkompetenz und unsere Fähigkeit, gemeinsam individuelle Lösungen zu erarbeiten”, so der Geschäftsführer von Blume Elektronik.

Für weitere Informationen über die SiC Produkt-Roadmap von Potens Semiconductor wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam oder besuchen Sie unsere Website blume-elektronik.de.