Arbeitspeicher mit langer Verfügbarkeit

DRAM von Blume-Elektronik.de

Der Dynamische Random-Access-Memory – kurz DRAM – gehört zu den flüchtigen Speichern der elektronischen Speicherbausteine. Eingeordnet wird der DRAM in die Gruppe der aktiven Bauelemente. Üblicherweise findet man ihn im Arbeitsspeicher von Computern. Diese diskreten integrierten Schaltkreise bezeichnet man auch kurz als IC. Dabei handelt es sich um eine Vielzahl an Speicherzellen in einem Gehäuse.
Im Blume Elektronik Onlineshop finden Sie DRAM und weitere aktive Bauelemente von namhaften Marken wie Intelligent Memory. Unsere Artikel zeichnen sich durch eine hohe Qualität, Zuverlässigkeit und Langlebigkeit aus. Sie erhalten Top-Produkte als Komponenten für Ihre Anforderungen. Sehen Sie sich um!

Unser DRAM Lineup besteht sowohl aus Komponenten als auch Modulen.

Die Komponenten können wir als SDRAM , DDR, DDR2, DDR3, DDR4 und LPDDR4 Variante anbieten.
– SDRAM benötigt 3.3V, verfügbare Speichergröße 64Mb , 128Mb, 256Mb und 512Mb
– DDR benötigt 2.5V, verfügbare Speichergröße 256Mb, 512Mb und 1Gb
– DDR2 benötigt 1.8V, verfügbare Speichergröße 512Mb, 1Gb und 2Gb
– DDR3 benötigt 1.35V oder 1.5V , verfügbare Speichergröße 1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb und 16Gb
– DDR4 benötigt 1.2V , verfügbare Speichergröße 4Gb und 8Gb
– LPDDR4 benötigt 1.1V Verfügbar in der Speichergröße 4Gb und 8Gb

Die Komponenten sind sowohl mit dem Standard Temperatur Bereich verfügbar als auch mit dem erweiterten Industriebereich -40 – +95°C. Dadurch ergibt sich auch die Möglichkeit die Module mit AECQ-100 Qualifizierung zu erhalten. Falls besondere Anforderungen an die Operationssicherheit gestellt wird, sind auch Module mit ECC verfügbar.

Das DRAM Modul LineUp besteh aus :
PFM / EDO als 3.3V oder 5V Betriebsspannung. Der maximale 50ns Zyklus. Als UDIMM Bauform gibt es maximal 256MB Speicherdichte. Mit SODIMM Bauform , maximal 128MB.
SDRAM Module mit 3.3V Betriebsspannung gibt es als PC-166. Als UDIMM Bauform gibt es maximal 512MB Speicherdichte. Mit SODIMM Bauform , maximal 512MB.
DDR Module mit 2.5V Betriebsspannung gibt es als PC-3200. Verfügbare Bauformen sind RDIMM, UDIMM, SODIMM. Jeweils bis maximal 1GB.
DDR2 Module mit 1.8V Betriebsspannung gibt es als PC2-6400. Verfügbare Bauformen sind RDIMM (8GB), UDIMM (4GB), SODIMM(4GB) und Mini-RDIMM (512MB).
DDR3 Module mit 1.35V oder 1.5V Betriebsspannung gibt es als PC3-12800. Verfügbare Bauformen sind LRDIMM (32GB), RDIMM (32GB), UDIMM (16GB), RSODIMM(16GB), SODIMM(16GB), Mini-RDIMM (16GB) und Mini-UDIMM (32GB).

Auch hier sind die Bauteile mit erweitertem Temperaturbereich verfügbar und auf Wunsch mit ECC.

Die Eigenschaften von DRAM

Im Jahr 1986 kam der erste Halbleiterspeicher zur Datenspeicherung auf Halbleiterbasis auf den Markt. Seitdem haben sich die Speicherbausteine weiterentwickelt, unter anderem in SRAM und DRAM. RAM beschreibt einen Lese- und Schreib-Speicher, während der ROM ausschließlich ein Lese-Speicher ist.
Im Gegensatz zum DRAM, dem dynamischen RAM, benötigt der SRAM kein periodisches Auffrischen – Refresh –, um den Datenverlust in den einzelnen Datenzellen zu verhindern. Solange die Betriebsspannung anhält, speichert der SRAM die Informationen. Die Daten können bei einem SRAM extrem schnell ausgelesen werden und der Leistungsbedarf der Zellen bleibt im statischen Betrieb sehr gering. Allerdings sind die Speicherzellen im Vergleich zum DRAM größer.
Die heutigen Speicherbausteine weisen deutliche Leistungssteigerungen hinsichtlich Datentransferrate, Speicherkapazität und Taktrate auf, sodass sie hervorragende Arbeit in Hardware-Komponenten von Computern liefern.
Der DRAM lässt sich als elektronisches Speicherbauteil auf eine Leiterplatte auflöten und wird so als Arbeitsspeicher nutzbar. Er findet überall dort Anwendung, wo Sie einen schnellen Zugriff auf Dateninhalte benötigen, wie etwa auch im Prozessor als Cache oder als lokaler Speicher auf einem Chip. Möchten Sie Informationen ohne dauerhafte Stromversorgung bis zu einigen Jahren speichern, kommt der DRAM ebenfalls in den betreffenden Geräten zum Einsatz.

Hochwertige DRAM-Speicher von Intelligent Memory

Die besonderen Spezifikationen von DRAM

SRAM verfügen über unterschiedliche Schnittstellen und zwei Modi. SPI – Serial Peripheral Interface – finden Sie primär für den direkten Anschluss an Mikrocontroller mit asynchroner Schnittstelle. Für den Einsatz in Kombination mit DDR- und Quad-Speicher achten Sie auf QSPI, Quad Serial Peripheral Interface. Diese SRAM verfügen über höhere Datenübertragungsraten.
Der Modus entscheidet über die Zugriffsgeschwindigkeit. Ist er synchron, erfolgt der Zugriff synchron zum Taktsignal. Daher ist der Durchsatz meist höher als bei asynchronen SRAMs.
Da die Leistungsfähigkeit der Technologie immer weiter zunimmt, wurde DDR entwickelt, Double Data Rate. Auch die SRAM-Speicher sind daran angepasst und arbeiten – je nach Generation – mit der entsprechenden DDR-Generation zusammen.

Speicherlösungen und vieles mehr vom Spezialisten für Elektronik

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