Neue SiC MOSFET Half-Bridge Module von Global Power Technologies
Blume Elektronik erweitert sein Portfolio um die neuesten SiC MOSFET Half-Bridge Module von Global Power Technologies (GPT). Diese innovativen Module bieten herausragende Leistung und Energieeffizienz, ideal für die Anforderungen in der modernen Leistungselektronik. Dank der Kombination von Siliziumkarbid (SiC) Technologie, die für ihre hohe Schaltgeschwindigkeit und thermische Beständigkeit bekannt ist, sind diese Module perfekt für anspruchsvolle Anwendungen wie Elektromobilität und erneuerbare Energien geeignet.
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