Alle Beiträge zu: SiC

Blume Elektronik erweitert sein Portfolio um die neuesten SiC MOSFET Half-Bridge Module von Global Power Technologies (GPT). Diese innovativen Module bieten herausragende Leistung und Energieeffizienz, ideal für die Anforderungen in der modernen Leistungselektronik. Dank der Kombination von Siliziumkarbid (SiC) Technologie, die für ihre hohe Schaltgeschwindigkeit und thermische Beständigkeit bekannt ist, sind diese Module perfekt für anspruchsvolle Anwendungen wie Elektromobilität und erneuerbare Energien geeignet.

Wir freuen uns, die Veröffentlichung der Produkt-Roadmap von Potens Semiconductor für Siliziumkarbid (SiC) Bauelemente bekannt zu geben. Diese Roadmap gibt einen aufschlussreichen Überblick über die geplanten Entwicklungen und Produkte, insbesondere im Bereich der SiC MOSFETs und SiC Schottky Dioden.